SMA17
MACOM
RF Amplifier 10-1000MHz NF 6.0dB Gain 12dB
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MSC035SMA170B
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 68 A、漏源导通电阻（Rds On） 45 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC035SMA170B4
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 68 A、漏源导通电阻（Rds On） 35 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC035SMA170J
Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm SOT-227
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC035SMA170S
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 59 A、漏源导通电阻（Rds On） 35 mOhms，采用 TO-268-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC750SMA170B
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源导通电阻（Rds On） 750 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC750SMA170B4
Microchip Technology
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、漏源导通电阻（Rds On） 750 mOhms、原产国家或地区 菲律宾、单件重量 0.211644 oz，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC750SMA170S
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 4.4 A、漏源导通电阻（Rds On） 750 mOhms，采用 D3PAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC750SMA170SA
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 6 A、漏源导通电阻（Rds On） 940 mOhms，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC750SMA170SDT/R
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 6 A，采用 TO-268-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs