SMA12
MACOM
RF Amplifier 10-1000MHz NF 2.8dB Gain 16dB
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SMA1211
MACOM
RF Amplifier 10-1200MHz NF 2.8dB Gain 14dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierSMA1212
MACOM
RF Amplifier
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier1PGSMA120Z M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 120 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 8.3 mA、稳压管阻抗（Zz） 550 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA120Z R3G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 120 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 8.3 mA、稳压管阻抗（Zz） 550 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA120ZHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 120 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 8.3 mA、稳压管阻抗（Zz） 550 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA120ZHR3G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 120 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 8.3 mA、稳压管阻抗（Zz） 550 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA120Z
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 120 V、耗散功率（Pd） 1.25 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 550 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA120Z M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 120 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 550 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA120Z R2
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 120 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管阻抗（Zz） 550 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DO-214AC-2 封装。
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