SK35B
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.003280 oz，采用 DO-214AA-2 封装。
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SK35B M4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.75 V、正向浪涌电流（Ifsm） 70 A，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK35B R4
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.75 V，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK35B R4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.75 V、正向浪涌电流（Ifsm） 70 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK35B R5
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.75 V、正向浪涌电流（Ifsm） 70 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK35B R5G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.75 V、正向浪涌电流（Ifsm） 70 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK35B-LTP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.75 V、正向浪涌电流（Ifsm） 100 A，采用 DO-214AA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK35B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.75 V，采用 DO-214AA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK35BH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾，采用 SMB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSK35BHM4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.75 V、正向浪涌电流（Ifsm） 70 A，采用 SMB-2 封装。
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