PN2907A
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.6 V，采用 TO-92-3 封装。
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PN2907A
Rectron
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPN2907A APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPN2907A APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPN2907A PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPN2907A TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPN2907A TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPN2907A TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPN2907A-AP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 6 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 200 MHz，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPN2907A-T
Rectron
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、连续集电极电流 0.8 A、耗散功率（Pd） 625 mW、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。
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