OPA124U/2K5
Texas Instruments
- OPA145IDRTexas Instruments相似型号
技术资料参考
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Apex Microtechnology
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 50 V、电源电压(最小值) 10 V、每通道输出电流 10 A、增益带宽积(GBP) 4 MHz、压摆率(SR) 4 V/us,采用 TO-3-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsApex Microtechnology
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 50 V、电源电压(最小值) 10 V、每通道输出电流 15 A、增益带宽积(GBP) 4 MHz、压摆率(SR) 4 V/us,采用 TO-3-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsApex Microtechnology
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 50 V、电源电压(最小值) 10 V、每通道输出电流 10 A、增益带宽积(GBP) 4 MHz、压摆率(SR) 4 V/us,采用 TO-3-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsApex Microtechnology
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 50 V、电源电压(最小值) 10 V、每通道输出电流 10 A、增益带宽积(GBP) 4 MHz、压摆率(SR) 4 V/us。
半导体 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsApex Microtechnology
该型号为运算放大器,主要参数包括电源电压(最大值) 45 V、电源电压(最小值) 10 V、原产国家或地区 美国、单件重量 0.529109 oz。
半导体 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsLittelfuse
该型号为二极管,主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 146.8 V、工作电压 120 V、钳位电压 192.3 V、峰值脉冲电流(Ipp) 78.5 A,采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsLittelfuse
该型号为二极管,主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 134 V、工作电压 120 V、钳位电压 194.4 V、峰值脉冲电流(Ipp) 155.9 A,采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsInfineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 35 A,采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETInfineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 35 A,采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTexas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 18 V、最小双电源电压 +/- 5 V、工作电源电压 +/- 5 V to +/- 18 V、每通道输出电流 10 mA,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps