MPSA77
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、最大集电极截止电流 0.1 uA，采用 TO-92 封装。
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MPSA77 APM
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPSA77 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 IN。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA77 APM TIN/LEAD
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该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA77 APP PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA77 APP TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA77 PBFREE
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该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 IN、单件重量 0.016000 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA77 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、最大集电极截止电流 100 nA，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA77 TRA
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPSA77 TRA PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 IN。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors