MMBT2222A
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
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MMBT2222A RF
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT2222A RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT2222A,215
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT2222A-13P
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT2222A-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT2222A-AQ
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT2222A-AU_R1_000A1
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT2222A-G
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 300 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 40，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar TransistorsMMBT2222A-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323 封装。
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