MD3F
Rectron
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 300 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A。
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技术资料参考
芯片技术资料
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EMD3FHAT2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 V, 100 V、最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-563-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsNHUMD3F
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934661434135。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPIMD3F
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 230 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedRB450UMFHTL
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 100 mA、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 550 mV，采用 SOT-323FL-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersRB450UMTL
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 100 mA、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 390 mV，采用 SOT-323FL-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersRB451UMFHTL
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 10 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 300 mV，采用 SOT-323FL-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersRB451UMTL
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 100 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 300 mV，采用 SOT-323FL-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersRB715UMFHTL
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 30 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 370 mV，采用 SOT-323FL-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersRB715UMTL
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 30 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 370 mV，采用 SOT-323FL-3 封装。
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