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原厂资料

9 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
MBR10100CD-G1Diodes Incorporated
  • MBRD10100CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10100CDTR-E1Diodes Incorporated
  • MBRD10100CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10100CDTR-G1Diodes Incorporated
  • MBRD10100CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10100CS2-G1Diodes Incorporated
  • MBRB10100CT
2019-02-05查看资料
MBR10100CS2TR-G1Diodes Incorporated
  • MBRB10100CT
2019-02-05查看资料
MBR10100CT-E1Diodes Incorporated
  • MBR10100CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10100CT-LJDiodes Incorporated
  • MBR10100CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10100CTF-E1Diodes Incorporated
  • MBR10100CTF-G1
2019-02-05查看资料
MBR10100CTLDiodes Incorporated
  • MBR10100CT-G1
2019-02-05查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

32 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MBR10100

Diotec Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 800 mV，采用 TO-220AC 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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MBR10100

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 850 mV，采用 TO-220AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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MBR10100 C0

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-220AC-2 封装。

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MBR10100-BP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-220AC-2 封装。

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MBR10100-E3/4W

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-220-2 封装。

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MBR10100-M3/4W

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.65 V、正向浪涌电流（Ifsm） 150 A，采用 TO-220AC 封装。

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MBR10100CD-HF

Comchip Technology

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。

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MBR10100CT

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A (2 x 5 A)、正向电压（Vf） 850 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A、配置 Common Cathode，采用 TO-220-2 封装。

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MBR10100CT

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 850 mV，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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MBR10100CT C0

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.95 V，采用 TO-220AB-3 封装。

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