MB6F
Rectron
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 27.3 A，采用 MB-F 封装。
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芯片技术资料
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3SBMB6F
Semtech
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersSBMB6F
Semtech
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.2 V。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersSMB6F100A
STMicroelectronics
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、接触放电静电耐受电压 30 kV、空气放电静电耐受电压 30 kV、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 117 V，采用 DO-220AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsSMB6F10A
STMicroelectronics
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、接触放电静电耐受电压 30 kV、空气放电静电耐受电压 30 kV、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 11.1 V，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsSMB6F10AY
STMicroelectronics
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、接触放电静电耐受电压 30 kV、空气放电静电耐受电压 30 kV、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 11.1 V，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsSMB6F11A
STMicroelectronics
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、接触放电静电耐受电压 30 kV、空气放电静电耐受电压 30 kV、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 12.3 V，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsSMB6F11AY
STMicroelectronics
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、接触放电静电耐受电压 30 kV、空气放电静电耐受电压 30 kV、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 12.3 V，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsSMB6F12A
STMicroelectronics
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、接触放电静电耐受电压 30 kV、空气放电静电耐受电压 30 kV、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 13.3 V，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsSMB6F12AY
STMicroelectronics
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、接触放电静电耐受电压 30 kV、空气放电静电耐受电压 30 kV、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 13.3 V，采用 SMB-2 封装。
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