原型号
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Cirrus Logic Inc.
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- WM8523GEDTCirrus Logic Inc.相似型号
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技术资料参考
芯片技术资料
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M85
MACOM
RF Mixer LO/RF 2-18GHz IF DC-1000MHz
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerM85C
MACOM
主要参数包括射频频率 2～18 GHz、本振频率 2～18 GHz、中频频率 0 Hz to 1 GHz、技术 Si、转换损耗（最大值） 10.5 dB、噪声系数（NF） 10.5 dB，采用 Module 封装。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerAPT30M85BVRG
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 300 V、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源导通电阻（Rds On） 85 mOhms、栅源阈值电压（Vgs th） 4 V，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAPT30M85BVRG
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 300 V、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源导通电阻（Rds On） 85 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsAPT30M85SVFRG
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAPT50M85JVFR
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAPT50M85JVFR
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 50 A、漏源导通电阻（Rds On） 85 mOhms、栅源电压（Vgs） - 30 V, + 30 V，采用 SOT-227-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesAPT50M85JVR
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAPT50M85JVR
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 50 A、漏源导通电阻（Rds On） 85 mOhms，采用 SOT-227-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesBCM856BS,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 200 mA，采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT