M2E
MACOM
采用 TO-8 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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M2EC
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerBD433M2EFJ-CE2
ROHM Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3.3 V、输出电流 200 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、输入电压（最大值） 42 V、输入电压（最小值） 4.3 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsBD450M2EFJ-CE2
ROHM Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5 V、输出电流 200 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、输入电压（最大值） 42 V、输入电压（最小值） 4.3 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsMC33FS6600M2ES
NXP Semiconductors
该型号为电源管理器件，主要参数包括工作电源电压 2.7～60 V、输出电压范围 1.1～5 V、输出电流 10 A、类型 Automotive、输入电压（最大值） 60 V、输入电压（最小值） 2.7 V，采用 HVQFN-56 封装。
半导体 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICMC33FS6600M2ESR2
NXP Semiconductors
该型号为电源管理器件，主要参数包括工作电源电压 2.7～60 V、输出电压范围 1.1～5 V、输出电流 10 A、类型 Automotive、输入电压（最大值） 60 V、输入电压（最小值） 2.7 V，采用 HVQFN-56 封装。
半导体 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICMM912I637AM2EP
NXP / Freescale
主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 5 V、输出电压 2.25～2.75 V、输出电流 65 mA、产品 Charge Management、最小工作温度 - 50 C、最大工作温度 + 125 C，采用 QFN-48 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery ManagementMM912I637AM2EP
NXP Semiconductors
主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 5 V、输出电压 2.25～2.75 V、输出电流 65 mA、产品 Charge Management、最小工作温度 - 50 C、最大工作温度 + 125 C，采用 QFN-48 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery ManagementMM912I637AM2EPR2
NXP / Freescale
主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 5 V、输出电压 2.25～2.75 V、输出电流 65 mA、产品 Charge Management、最小工作温度 - 50 C、最大工作温度 + 125 C，采用 QFN-48 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery ManagementMM912I637AM2EPR2
NXP Semiconductors
主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 5 V、输出电压 2.25～2.75 V、输出电流 65 mA、产品 Charge Management、最小工作温度 - 50 C、最大工作温度 + 125 C，采用 QFN-48 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery Management