M1G
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer技术资料参考
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MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerLittelfuse
主要参数包括类型 SCR、最大转折电流(IBO) 20 A、额定重复断态电压(VDRM) 600 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态有效值电流(It RMS) 4 A、正向电压(Vf) 2.2 V,采用 TO-225-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsIntel
主要参数包括最大时钟频率 3.1 GHz、存储容量 384 GB、存储器类型 DDR4-2400、系统总线类型 PCI、产品 Server Processors、内核 Intel Xeon D,采用 FCBGA-2227 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsIntelligent Memory
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位,采用 FBGA-84 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIntelligent Memory
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位,采用 FBGA-84 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMMacronix
主要参数包括接口类型 SPI、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 Macronix、型号别名 MX66LM1G45GMR00、单件重量 0.003210 oz。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMacronix
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 BGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMacronix
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 BGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMacronix
主要参数包括接口类型 SPI、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 Macronix、型号别名 MX66LM1G45GXDR00、单件重量 0.003210 oz。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMacronix
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 BGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash