ILD2
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 DIP-8 封装。
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ILD2-X001
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 PDIP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersILD2-X006
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersILD2-X007
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersILD2-X007T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersILD2-X009
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersILD2-X009T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 SMD-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersILD2-X016
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 PDIP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersILD2-X017
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersILD205T
Vishay Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、隔离电压 4000 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOIC-8 封装。
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