HMC365
Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 DIE 封装。
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HMC365-SX
Analog Devices
Prescaler I.C. Div 4 Presclr Die DC-13GHz
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC3653LP3BE
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 15 GHz、频率范围 7～15 GHz、类型 Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16 dBm，采用 SMT-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC3653LP3BE
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 7～15 GHz、测试频率 9～14 GHz、技术 Si、类型 Gain Block Amplifiers，采用 SMT-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC3653LP3BETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierHMC365G8
Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SMT-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC365G8
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 SMT-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC365G8TR
Analog Devices
Prescaler InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 13 GHz
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC365S8G
Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC365S8GE
Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 S8G-8 封装。
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