HMC361
Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 11 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 DIE 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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HMC361-SX
Analog Devices
采用 View 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC361G8
Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 0.01 GHz、技术 GaAs，采用 SMT-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC361G8
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 13 GHz、最小工作频率 10 MHz、技术 GaAs，采用 SMT-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC361G8TR
Analog Devices
Prescaler Divide-by-2
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC361S8G
Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 10 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC361S8GE
Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 10 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 S8G-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC361S8GE
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 10 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 S8G-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC361S8GETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 10 GHz、最小工作频率 DC、技术 GaAs InGaP，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > PrescalerHMC361S8GETR
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、最大工作频率 10 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaAs InGaP，采用 SOIC-8 封装。
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