HMC264
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 20～32 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 13 dB、噪声系数（NF） 13 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 Chip 封装。
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HMC264-SX
Analog Devices
RF Mixer I.C. Sub-Harm Mix 20 - 32 GHz Die
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC264LC3B
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 21～31 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 9 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LC3B-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC264LC3B
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 21～31 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB，采用 QFN-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC264LC3BTR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 21～31 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC264LC3BTR
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 21～31 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB，采用 QFN-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC264LC3BTR-R5
Analog Devices
RF Mixer Sub Harmonic mix SMT, 21 - 31 GHz
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC264LM3
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 20～30 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 SMT-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC264LM3
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 20～30 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB，采用 SMT-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerHMC264LM3TR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 20～30 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 SMT-6 封装。
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