GBU6K
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。
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GBU6K
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU6K
Diotec Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU6K
onsemi
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU6K-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU6K-E3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU6K-E3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU6K-E3\45
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU6K-E3\51
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBU6K-LV
Diotec Semiconductor
Bridge Rectifiers Low Vf Bridge, 1-ph, GBU, 800V, 6A, 150C
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