GBPC5010
Taiwan Semiconductor
主要参数包括型号别名 GBPC5010 T0G、单件重量 0.528016 oz，采用 GBPC-4 封装。
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芯片技术资料
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GBPC5010 T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5010 T0G
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 50A, 1000V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5010-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 500 A，采用 GBPC-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5010-G
Comchip Technology
主要参数包括端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 450 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-G 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5010L-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1 kV，采用 GBPC-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5010M
Taiwan Semiconductor
采用 GBPC-M-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5010M T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-M-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5010M T0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5010T
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000 V - 50 A
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