GBPC5004
Taiwan Semiconductor
主要参数包括端接方式 Screw、原产国家或地区 中国，采用 GBPC-4 封装。
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芯片技术资料
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GBPC5004 T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5004 T0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5004-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 500 A，采用 GBPC-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5004-G
Comchip Technology
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz，采用 GBPC-G 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5004M
Taiwan Semiconductor
主要参数包括端接方式 Screw、原产国家或地区 中国，采用 GBPC-M-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5004M T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-M-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5004M T0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5004T
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400 V - 50 A
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5004W
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400 V - 50 A
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