GBPC3510
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。
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GBPC3510
Taiwan Semiconductor
主要参数包括端接方式 Screw、原产国家或地区 中国、单件重量 0.523748 oz，采用 GBPC-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC3510
onsemi
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC3510 T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC3510 T0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC3510-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC3510-E4/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC3510-G
Comchip Technology
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC3510M
Taiwan Semiconductor
主要参数包括端接方式 Screw、原产国家或地区 中国，采用 GBPC-M-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC3510M T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-M-4 封装。
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