GBL10
Taiwan Semiconductor
主要参数包括单件重量 0.070548 oz，采用 GBL-4 封装。
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GBL10
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBL10 C2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBL10 D2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBL10 D2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBL10-E3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBL10-E3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBL10-M3/45
Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers 4A,1000V,GPP,INLINE BRIDGE
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBL10-M3/51
Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers 4A,1000V,GPP,INLINE BRIDGE
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBL10E-E3/A
Vishay
主要参数包括原产国家或地区 中国。
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