DS28EC20+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 20 kbit、工作电源电压 4.75～5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 80、数据保持时间 40 Year、电源电流（最大值） 0.9 mA，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
DS28EC20+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 4.75～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 80，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28EC20+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 90-F431T+000 DS28EC20、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28EC20+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 80、数据保持时间 40 Year，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28EC20P+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 80，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28EC20P+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 80，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28EC20P+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 90-F431V+000 DS28EC20P、单件重量 0.001799 oz，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28EC20P+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 80、数据保持时间 40 Year，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28EC20Q+T
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 4～5.25 V、接口类型 1-Wire、数据保持时间 40 Year，采用 TDFN-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28EC20Q+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 4～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 80，采用 TDFN-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM