DS28E07+
Maxim Integrated
主要参数包括高度 4.95 mm、长度 4.95 mm、宽度 3.94 mm，采用 TO-92-3 封装。
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DS28E07+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4、数据保持时间 10 Year，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E07+T
Maxim Integrated
主要参数包括高度 4.95 mm、长度 4.95 mm、宽度 3.94 mm，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E07+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4、数据保持时间 10 Year，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E07G+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 SFN-2 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E07GA+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括原产国家或地区 TH。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E07GB+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E07P+
Maxim Integrated
主要参数包括高度 1.4 mm、长度 4.29 mm、宽度 3.94 mm，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E07P+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4、数据保持时间 10 Year，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS28E07P+T
Maxim Integrated
主要参数包括高度 1.4 mm、长度 4.29 mm、宽度 3.94 mm，采用 TSOC-6 封装。
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