DB104
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DB-1 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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DB104-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DB-1 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDB104-C-S-NT
Rectron
Bridge Rectifiers DIP,Bridge,NT DB-1,1A,400V
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDB104-G
Comchip Technology
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DB-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDB104G
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDB104L-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.011993 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDB104S-G
Comchip Technology
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DBS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDB104S-T
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DBS 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers9DB104BFLF
IDT
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 220 MHz、输出数 4 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer9DB104BFLFT
IDT
主要参数包括高度 1.73 mm、长度 10.2 mm、宽度 5.3 mm、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DB104 ICS9DB104BFLFT、单件重量 0.025045 oz，采用 SSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer