DB103
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DB-1 封装。
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芯片技术资料
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DB103-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DB-1 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDB103-G
Comchip Technology
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DB-4 封装。
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GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。
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Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.011993 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDB103S-G
Comchip Technology
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DBS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDB103S-T
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DBS 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersBDB103
Rectron
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 BDB-4 封装。
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Rectron
Bridge Rectifiers DIPBridge,GP DB-1,1A,150V,50ns
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersEDB103C
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 150 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DB-1 封装。
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