原型号
查看详情 · 5 条候选HFA1110IBZ
Renesas Electronics Corporation
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- VCA810AIDTexas Instruments相似型号
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
CA81
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCA81-1
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCA81-2
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCA81-3
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTPCA8104(TE12L,Q,M
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 40 A，采用 SOP-Advance-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTPCA8107-H(TE12LQM
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 7.5 A，采用 SOP-Advance-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTPCA8108(TE12L,Q,M
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 40 A，采用 SOP-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTPCA8120,L1Q
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 45 A，采用 SOP-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsTPCA8120,LQ(CM
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 45 A，采用 SOP-Advance-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTPCA8128,LQ(CM
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、类型 Power MOSFET、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V，采用 SOP Advance-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET