BZX84C9V1
Rectron
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 350 mW、电压温度系数 7 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。
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BZX84C9V1
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1 BK
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 350 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.06 %/C、稳压管电流 0.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1 RF
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 7 mV/C、稳压管电流 0.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1 RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 7 mV/C、稳压管电流 0.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1 TR
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 350 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.06 %/C、稳压管电流 0.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 350 mW、电压容差 6 %、电压温度系数 5.4 mV/C、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1-AQ
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1-AU_R1_000A1
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 410 mW、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1-AU_R1_100A1
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 410 mW、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。
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