BZT52B6V8
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、稳压管电流 1.8 uA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123F-2 封装。
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BZT52B6V8
Rectron
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压温度系数 4.5 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B6V8
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 40 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 SOD-123F 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B6V8 RH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、稳压管电流 1.8 uA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B6V8 RHG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B6V8-E3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 700 uV/C、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B6V8-E3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 0.7 mV/C、稳压管电流 49 mA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B6V8-G RHG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B6V8-G3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 0.7 mV/C、稳压管电流 49 mA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω，采用 View 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52B6V8-G3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 0.7 mV/C、稳压管电流 49 mA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω。
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