BZD17C12P
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12.7 V、耗散功率（Pd） 2.3 W、稳压管阻抗（Zz） 4 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C、测试电流 50 mA，采用 Sub-SMA-2 封装。
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芯片技术资料
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BZD17C12P R2
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12.7 V、耗散功率（Pd） 2.3 W、电压温度系数 0.1 %/C、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 4 Ω、最小工作温度 - 55 C。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD17C12P R2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD17C12P R3
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12 V、耗散功率（Pd） 0.8 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.1 %/C、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 4 Ω，采用 Sub SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD17C12P R3G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD17C12P RQ
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12.7 V、耗散功率（Pd） 2.3 W、电压温度系数 0.1 %/C、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 4 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 Sub-SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD17C12P RQG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD17C12P RUG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12 V、耗散功率（Pd） 0.8 W、电压温度系数 0.05 %/C to 0.1 %/C、稳压管电流 50 mA、稳压管阻抗（Zz） 7 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD17C12P RVG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12 V、耗散功率（Pd） 0.8 W、电压温度系数 0.05 %/C to 0.1 %/C、稳压管电流 50 mA、稳压管阻抗（Zz） 7 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZD17C12P-E3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管。
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