BR305
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-3 封装。
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BR305
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 BR-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersMBR3050CT
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、单件重量 0.211644 oz，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR3050CT C0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR3050CTe3/TU
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR3050CTe3/TU
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR3050CTH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾，采用 TO-220AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR3050CTHC0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.063493 oz，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR3050FCTe3/TU
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR3050FCTe3/TU
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers