BR102
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 BR-10 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers搜索结果
原厂资料
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR10200CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| MBR10200CT-LS | Diodes Incorporated |
| 2024-07-08 | 查看资料 |
| SBR10200CTFP-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR10200CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10200CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| MBR1020VL | onsemi |
| 2020-04-01 | 查看资料 |
| MBR10200CD-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CDTR-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CDTR-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CS2-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CS2-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CS2TR-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CS2TR-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CT-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CT-LJ | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CTF-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBRF10200CT-JT | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBRF10200CT-LJ | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
BR102
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-10 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersBR102-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 PB-6-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersMBR1020-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 20 V，采用 TO-220AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.211644 oz，采用 TO-220AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200 C0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V，采用 TO-220-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200CD-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200CT
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A (2 x 5 A)、正向电压（Vf） 980 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 128 A、配置 Common Cathode，采用 TO-220-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200CT
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、原产国家或地区 中国、单件重量 0.211644 oz，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200CT
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 840 mV，采用 TO-220AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers