BR1010
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 BR-10 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers搜索结果
原厂资料
12 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR10100CTB-13-G | Diodes Incorporated |
| 2026-05-05 | 查看资料 |
| SBR10100CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR10100CTL-13-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| MBR10100CD-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CDTR-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CDTR-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CS2-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CS2TR-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CT-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CT-LJ | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CTF-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10100CTL | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
BR1010
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-10 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersBR1010-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 PB-6-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersBR1010-G
Comchip Technology
主要参数包括端接方式 通孔安装、长度 19.6 mm、宽度 19.6 mm、高度 7.5 mm，采用 BR8-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersBR1010SG-G
Comchip Technology
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 BR8-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersMBR10100
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 800 mV，采用 TO-220AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 850 mV，采用 TO-220AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100 C0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-220AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-220AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10100-E3/4W
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-220-2 封装。
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