BC849B
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23 封装。
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BC849B,215
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC849B,235
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC849B-AQ
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC849B-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669319215。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC849B-QVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669319235。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC849B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 100 MHz、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC849BLT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC849BLT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC849BW
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323 封装。
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