BC847BW
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V, 5 V，采用 SOT-323 封装。
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芯片技术资料
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BC847BW RF
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BW RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BW,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BW,135
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BW-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BW-AQ
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V, 5 V，采用 SOT-323 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BW-AU_R1_000A1
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000176 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BW-G
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 Reel 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC847BW-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。
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