ADM483JR-REEL7
Analog Devices Inc.
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- SN75LBC182DRTexas Instruments参数相近
来源:第三方数据源非原厂公告
Analog Devices Inc.
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Analog Devices Inc.
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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MaxLinear, Inc.
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、型号别名 BC182 PBFREE、单件重量 0.007654 oz,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTCentral Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTCentral Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTCentral Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V,采用 TO-92 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTCentral Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTCentral Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTCentral Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTTexas Instruments
该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、工作电源电压 5 V、数据速率 0.25 Mb/s、功能 Transceiver、驱动器数 1 Driver,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > RS-485 Interface ICTexas Instruments
该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、工作电源电压 5 V、数据速率 0.25 Mb/s、功能 Transceiver、驱动器数 1 Driver,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > RS-485 Interface ICTexas Instruments
该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、工作电源电压 5 V、数据速率 0.25 Mb/s、供电类型 Single、功能 Transceiver,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > RS-485 Interface IC