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原厂资料

27 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
BAS40-04-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40-4-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40-04T-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40-04T-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40-05-13-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40-5-13-F
2023-05-15查看资料
BAS40-05-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40-5-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40-06-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40-6-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40-06T-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40-06T-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40BRW-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40BRW-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40DW-04-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40DW-4-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40DW-05-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40DW-5-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40DW-06-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40DW-6-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40LP-7-2477Diodes Incorporated
  • BAS40LP-7
2023-05-15查看资料
BAS40TW-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40TW-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40W-04-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40W-4-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40W-05-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40W-5-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40W-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40W-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40-06-7-F-79Diodes Incorporated
  • BAS40-06-7-F
2021-05-24查看资料
BAS40-7-GDiodes Incorporated
  • BAS40-7-F
2020-11-17查看资料
BAS40SLonsemi
  • BAS40P2T5G
2020-08-12查看资料
BAS40-04-7-F-79Diodes Incorporated
  • BAS40-04-7-F
2020-05-28查看资料
BAS40-05-7-F-79Diodes Incorporated
  • BAS40-05-7-F
2020-05-28查看资料
BAS40-7-F-79Diodes Incorporated
  • BAS40-7-F
2020-05-28查看资料
BAS40LP-7-79Diodes Incorporated
  • BAS40LP-7
2020-05-28查看资料
BAS40LP-7-GDiodes Incorporated
  • BAS40LP-7-F
2020-05-28查看资料
BAS40W-04-7-F-79Diodes Incorporated
  • BAS40W-04-7-F
2020-05-28查看资料
BAS40W-05-7-F-79Diodes Incorporated
  • BAS40W-05-7-F
2020-05-28查看资料
BAS40W-06-7-F-79Diodes Incorporated
  • BAS40W-06-7-F
2020-05-28查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

210 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BAS40

Diotec Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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BAS40 RF

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 0.6 A，采用 SOT-23-3 封装。

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BAS40 RFG

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Diodes，采用 SOT-23-3 封装。

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BAS40,215

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 120 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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BAS40,235

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 120 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 SOT-23-3 封装。

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BAS40-00-E3-08

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1000 mV，采用 SOT-23-3 封装。

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BAS40-00-E3-18

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1000 mV，采用 SOT-23-3 封装。

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BAS40-00-G3-08

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1000 mV，采用 SOT-23-3 封装。

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BAS40-00-G3-18

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1000 mV，采用 SOT-23-3 封装。

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BAS40-00-HE3-08

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 1000 mV，采用 SOT-23-3 封装。

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