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原厂资料

6 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SURA8120T3Gonsemi
  • NRVUA120VT3G
2021-07-07查看资料
SURA8140T3Gonsemi
  • NRVUA140VT3G
2021-07-07查看资料
SURA8160T3Gonsemi
  • NRVUA160VT3G
2021-07-07查看资料
SBRA8160T3Gonsemi
  • SBRA8160NT3G
2020-02-21查看资料
KSA812YMTFonsemi
  • MSA1162GT1G
2019-07-16查看资料
INA118PTexas Instruments
  • INA818IDR
  • INA818ID
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

2 个原型号
原型号

A8650KLYTR-T

Allegro MicroSystems

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • A81805KESJSRAllegro MicroSystems第三方标注：厂商推荐
原型号

HFA1110IBZ

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • VCA810AIDTexas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

100 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

A81

MACOM

RF Amplifier 20-250MHz NF 2.6dB Gain 26.0dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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A81-1

MACOM

RF Amplifier 20-250MHz NF 2.4dB Gain 25.0dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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A81-2

MACOM

RF Amplifier 20-500MHz NF 2.9dB Gain 24.5dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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A81-3

MACOM

RF Amplifier 20-500MHz NF 3.6dB Gain 17.0dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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A81407KLVATR-1

Allegro MicroSystems

该型号为电源管理器件，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是，采用 LV-38 封装。

半导体 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMIC
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2SA812-M6-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 STO23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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2SA812-M7-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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ANV31A81ASC66 R

Anvo-Systems

主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > NVRAM
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ANV31A81ASC66 T

Anvo-Systems

主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > NVRAM
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ANV31A81ASK66 R

Anvo-Systems

主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > NVRAM
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