A55
MACOM
RF Amplifier 10-500MHz NF 5.0dB Gain 14.7dB
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技术资料参考
芯片技术资料
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5P49V5901A558NI
IDT
主要参数包括商品名称 VersaClock。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products5P49V5901A558NI8
IDT
主要参数包括商品名称 VersaClock。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products5P49V5901A558NLGI
IDT
主要参数包括商品名称 VersaClock。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products6116LA55DB
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6116LA55TDB
IDT
主要参数包括高度 3.56 mm、长度 32.51 mm、宽度 7.62 mm、型号别名 6116 IDT6116LA55TDB，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6116SA55DB
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6116SA55TDB
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7130LA55C
IDT
主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-SB-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7130LA55CB
IDT
主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-SB-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM