GBJA3510_T0_00301
Panjit
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV，采用 GBJA-4 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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INA351ABSIDDFR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、放大器类型 Instrumentation Amplifier、输入类型 Differential、输出类型 Single-Ended，采用 SOT-23-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA351ABSIDSGR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、压摆率（SR） 200 mV/us、共模抑制比（CMRR） 95 dB、输入偏置电流（Ib） 650 fA，采用 WSON-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA351ABSIDSGRG4
Texas Instruments
Instrumentation Amplifiers Tiny (1.5-mm 2-mm) l ow-power (110 uA) i
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA351ABSIRUGR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、每通道输出电流 20 mA、压摆率（SR） 200 mV/us、共模抑制比（CMRR） 86 dB，采用 X2QFN-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA351AIDSGR
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA351CDSIDDFR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、放大器类型 Instrumentation Amplifier、输入类型 Differential、输出类型 Single-Ended，采用 SOT-23-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA351CDSIDSGR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、技术 Si、压摆率（SR） 200 mV/us、共模抑制比（CMRR） 95 dB，采用 WSON-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA351CDSIRUGR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、每通道输出电流 20 mA、压摆率（SR） 200 mV/us、共模抑制比（CMRR） 86 dB，采用 X2QFN-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersIXD2140A351MR-G
ZiLOG
该型号为开关稳压器。
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