原型号
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Renesas Electronics Corporation
- 7130LA20JGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
搜索结果
原厂资料
13 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 7132SA35C | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| KA3525A | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| 7140LA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA35C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA45CM | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA35C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| KA358 | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358A | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358ADTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358DTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选7130SA35JI
Renesas Electronics Corporation
- 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选71321LA35TF8
Renesas Electronics Corporation
- 71321LA20TFG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选7132LA35JI
Renesas Electronics Corporation
- 7132LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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- 7133LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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- 7133LA20PFG8Renesas Electronics Corporation相似型号
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- 7140LA25PFGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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查看详情 · 1 条候选71421SA35PF
Renesas Electronics Corporation
- 71421LA20PFGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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查看详情 · 1 条候选7143LA35J8
Renesas Electronics Corporation
- 7143LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选71V321LA35PF
Renesas Electronics Corporation
- 71V321L25PFGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
A35
MACOM
RF Amplifier 10-2000MHz NF 5.0dB Gain 10.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierA35-1
MACOM
RF Amplifier 2-2400MHz NF 4.2dB Gain 9.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier2N2919
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2919L
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2919U
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2919U/TR
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT6116LA35DB
IDT
主要参数包括高度 2.9 mm、长度 32 mm、宽度 15.24 mm、型号别名 6116 IDT6116LA35DB，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6116LA35TDB
IDT
主要参数包括高度 3.56 mm、长度 32.51 mm、宽度 7.62 mm、型号别名 6116 IDT6116LA35TDB，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6116SA35TDB
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7130LA35C
IDT
主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-SB-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM