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芯片技术资料

60 条型号记录

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ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.1 V，采用 SOT-346-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

ROHM Semiconductor

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 14 V、电源电压（最小值） 2 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 7 V、最小双电源电压 +/- 1 V，采用 SOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps

ROHM Semiconductor

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 14 V、电源电压（最小值） 2 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 7 V、最小双电源电压 +/- 1 V，采用 MSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps

Silicon Labs

主要参数包括最大时钟频率 97.5 MHz、程序存储容量 1920 kB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 bit, 16 bit、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.8 V，采用 QFN-56 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoC

Silicon Labs

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoC

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 26 V、电源电压（最小值） 2.7 V、放大器类型 Current Sense、增益带宽积（GBP） 7 kHz、共模电压（Vcm） - 0.3 V to 26 V，采用 SC70-6 封装。