AT97SC3204T-U1A180
Microchip Technology
- AT97SC3204T-U2A1B-10Microchip Technology直接替代候选
技术资料参考
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MACOM
RF Amplifier 10-500MHz NF 3.4dB Gain 16.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierLittelfuse
该型号为二极管,主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 220.1 V、工作电压 180 V、钳位电压 288.5 V、峰值脉冲电流(Ipp) 52.3 A,采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsLittelfuse
该型号为二极管,主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 220.1 V、工作电压 180 V、钳位电压 288.5 V、峰值脉冲电流(Ipp) 52.3 A,采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 180 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 5.6 mA、稳压管阻抗(Zz) 1200 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 180 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 5.6 mA、稳压管阻抗(Zz) 1200 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 180 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 5.6 mA、稳压管阻抗(Zz) 1200 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 180 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 5.6 mA、稳压管阻抗(Zz) 1200 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 180 V、耗散功率(Pd) 1.25 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 1.2 kOhms、最小工作温度 - 55 C,采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 180 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗(Zz) 1200 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 180 V、耗散功率(Pd) 1 W、电压容差 5 %、稳压管阻抗(Zz) 1.2 kOhms、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes