IS49NLC36800-33BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- MT49H8M36SJ-25:B TRMicron Technology Inc.相似型号
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Analog Devices
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压(最大值) 10 V、电源电压(最小值) 4.5 V、最大双电源电压 +/- 5 V、最小双电源电压 +/- 2.25 V、工作电源电压 4.5~10 V,采用 LFCSP-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersWolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管,主要参数包括工作频率 8 GHz、技术 氮化镓(GaN)、晶体管类型 HEMT、增益 16.5 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 120 V,采用 Die 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > 射频结型场效应晶体管MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管,主要参数包括最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 氮化镓(GaN)、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 120 V,采用 Die 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管Intel
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 999DR3。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsDiodes Incorporated
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 80 V、连续漏极电流(Id) 100 A、漏源导通电阻(Rds On) 3.9 mOhms,采用 PowerDI5060-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETDiodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 30 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 8 V,采用 PowerVDFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTDiodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 30 V、集电极-基极电压(VCBO) 40 V、发射极-基极电压(VEBO) 8 V,采用 PowerVDFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTTexas Instruments
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、程序存储容量 384 kB、数据 RAM 容量 69 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 26 个输入/输出,采用 LQFP-64 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUTexas Instruments
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、程序存储容量 384 kB、数据 RAM 容量 69 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 26 个输入/输出,采用 LQFP-80 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUTexas Instruments
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、程序存储容量 384 kB、数据 RAM 容量 69 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 26 个输入/输出,采用 LQFP-48 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCU