1N6822
Microchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers。
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Microchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMicrochip Technology
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersROHM Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 5 V、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 70 C、LED数 12、耗散功率(Pd) 450 mW,采用 SOP-22 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Display DriversDIOO Microcircuits
该型号为电源管理器件,主要参数包括工作电源电压 1.6~6.6 V、输入电压(最大值) 6.6 V、输入电压(最小值) 1.6 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、输入电流 50 nA,采用 DFN-6 封装。
半导体 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICRenesas / Intersil
该型号为电源管理器件,主要参数包括最大输出电压 3.05 V、输出电压范围 0~3.05 V、输出电流 20 mA、类型 Controller、输入电压(最大值) 3.465 V、输入电压(最小值) 3.135 V。
半导体 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICRenesas / Intersil
该型号为电源管理器件,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、单件重量 0.001764 oz。
半导体 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICRenesas / Intersil
该型号为电源管理器件,主要参数包括最大输出电压 3.05 V、输出电压范围 0~3.05 V、输出电流 20 mA、类型 Controller、输入电压(最大值) 3.465 V、输入电压(最小值) 3.135 V,采用 QFN-4x4-32 封装。
半导体 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICRenesas / Intersil
主要参数包括产品 DSCs、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、单件重量 0.002293 oz。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Digital Signal Processors & Controllers - DSP, DSCRenesas / Intersil
主要参数包括产品 DSCs、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、单件重量 0.002293 oz。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Digital Signal Processors & Controllers - DSP, DSCRenesas / Intersil
主要参数包括产品 DSCs、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、单件重量 0.002293 oz。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Digital Signal Processors & Controllers - DSP, DSC