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来源：第三方数据源非原厂公告

1 个原型号
原型号

S-19105N35H-M5T1U

ABLIC Inc.

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S-19104N35H-M5T1UABLIC Inc.参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

43 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

4N35

Vishay Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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4N35

Lite-On

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3550 Vrms，采用 PDIP-6 封装。

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4N35

LITEON

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 3550 Vrms、电流传输比（最小值） 100 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。

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4N35-000E

Broadcom / Avago

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3550 Vrms，采用 PDIP-6 封装。

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4N35-060E

Broadcom / Avago

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3550 Vrms，采用 PDIP-6 封装。

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4N35-300E

Broadcom / Avago

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3550 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

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4N35-360E

Broadcom / Avago

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3550 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

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4N35-500E

Broadcom / Avago

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3550 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

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4N35-560E

Broadcom / Avago

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3550 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

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4N35-V

Everlight

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms。

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