2N918
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-72-3 封装。
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2N918
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N918
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N918 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-72 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N918/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-72-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N918UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N918UB
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N918UB/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 LCC-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJAN2N918UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJAN2N918UB/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 LCC-3 封装。
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