2N5415
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N5415
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-205AD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5415
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V，采用 TO-5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5415 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-39 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5415 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-39-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5415S
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5415S
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V，采用 TO-205AD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5415UA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5415UA
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 UA-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJAN2N5415S
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT