2N2945A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） - 25 V，采用 TO-46-3 封装。
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2N2945A
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 TO-46-3 封装。
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） - 25 V，采用 TO-46-3 封装。
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） - 25 V，采用 TO-46-3 封装。
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Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 TO-46-3 封装。
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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