2N2222AUA
Welwyn Components / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V。
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2N2222AUA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
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Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V。
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Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。
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Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 LCC-4 封装。
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Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 LCC-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJan2N2222AUA/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SMD-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJANSF2N2222AUA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 UB-4 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
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